石田 昌宏 | パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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パナソニック株式会社
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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好田 慎一
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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長尾 宣明
パナソニック株式会社先端技術研究所
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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藤本 康弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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小川 雅弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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梅田 英和
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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鈴木 朝実良
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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好田 慎一
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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山田 康博
パナソニック株式会社
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村田 智洋
パナソニック株式会社
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鶴見 直大
パナソニック株式会社半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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鶴見 直大
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
鶴見 直大
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
-
按田 義治
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
好田 慎二
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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- グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長
- P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計