田中 毅 | 松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック株式会社
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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梅田 英和
パナソニック株式会社
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柳原 学
パナソニック株式会社
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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河井 康文
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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河井 康史
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
福田 健志
パナソニック 先端技研
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
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根来 昇
パナソニック株式会社
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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大塚 信之
松下電器半導体センター
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Otsuka Nobuyuki
Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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大塚 信之
パナソニック株式会社先端技術研究所
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
パナソニック株式会社
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沈 旭強
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
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井手 利英
産業技術総合研究所
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清水 三聡
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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鈴木 朝実良
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
パナソニック株式会社 先端技術研究所
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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山田 康博
パナソニック株式会社
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沈 旭強
産業技術総合研究所
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清水 三聡
産業技術総合研究所
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田村 聡之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井腰 文智
パナソニック株式会社
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鶴見 直大
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
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Otsuka Nobuyuki
Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.
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Otsuka Nobuyuki
Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center
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按田 義治
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社先端技術研究所
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鶴見 直大
パナソニック株式会社半導体デバイス研究センター
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鶴見 直大
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター
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田中 健一郎
パナソニック株式会社 エコソリューションズ社 デバイス開発センター
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木下 雄介
パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター
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田中 健一郎
パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター
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林 慶寿
名古屋大学工学研究科
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岸本 茂
名古屋大学工学研究科
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水谷 孝
名古屋大学工学研究科
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井上 薫
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
LI Ming
パナソニック ボストン研究所
-
清水 順
パナソニック株式会社
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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水谷 研治
松下電器産業(株) BIU
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水谷 研治
松下電器産業(株)先端技術研究所
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杉浦 俊
名古屋大学工学研究科
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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杉浦 俊
名古屋大学
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水谷 研治
松下電器産業(株)中央研究所
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター
-
上野 弘明
パナソニック株式会社先端技術研究所
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水谷 研治
パナソニック株式会社先端技術研究所
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工藤 祐治
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
水谷 孝
名古屋大学
-
岸本 茂
名古屋大学
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター
-
田村 聡之
パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター
-
梅田 英和
パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター
-
岸本 茂
名大院工
著作論文
- GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-10 厚膜再配線構造による低損失伝送線路を用いた準ミリ波帯SiGe-MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
- GaNナチュラル スーパージャンクション ダイオード
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- HfO_2をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価・解析
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-29 厚膜再配線構造を用いた26GHz帯近距離レーダ用SiGe-BiCMOS送受信チップセット(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
- C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)