黒田 正行 | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センターの論文著者

関連著者

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  松下電器産業(株)半導体社

• 柳原 学

  パナソニック株式会社

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 西嶋 将明

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 酒井 啓之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 瀧澤 俊幸

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 酒井 啓之

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• LI Ming

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• LI Ming

  パナソニック ボストン研究所

• 引田 正洋

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  パナソニック株式会社

• 瀧澤 俊幸

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• Li Ming

  Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 永井 秀一

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 瀧澤 俊幸

  松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター

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著作論文

• サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
• C-10-11 無極性a面AlGaN/GaNヘテロ接合におけるシートキャリア濃度制御(C-10.電子デバイス,一般講演)
• パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
• 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• C-10-10 無極性a面上ノーマリオフ型AlGaN/GaN MIS-HFET(C-10.電子デバイス,一般講演)
• 無極性(11-20)面上に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタのノーマリオフ動作(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)

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