上本 康裕 | 松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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柳原 学
パナソニック株式会社
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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神田 敦彦
松下電器産業
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石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
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松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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広瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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Li Ming.
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
著作論文
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード
- C-10-16 擬似スーパージャンクション構造によるGaN縦型ショットキーバリアダイオードの高耐圧化(C-10.電子デバイス,一般講演)
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
- C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)