AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
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概要
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- 2003-09-26
著者
-
石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
-
神田 敦彦
松下電器産業
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