位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
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概要
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帰還型広帯域アンプは簡便な回路方式(図1)により広帯域特性を実現できるため, VHF帯からUHF帯にかけての汎用アンプとして広く使用されてきた。しかし, 消費電流が大きいため携帯機器への応用が困難であった。そこで, 我々はFETの短ゲート長化により, 広帯域アンプの低電流化を試みた。短ゲート長化を行うために位相シフト露光法を適用し, 0.2μmゲート長FETを作製した。その結果, 動作電流を10 mAまで低電流化することができた。さらに, 三次相互変調歪みについて評価し, 短ゲート長化により歪特性を改善できるという結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研
-
西辻 充
松下電子工業
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
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