GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本報告では、GaAsFETの短チャネル効果を利用した可変アッテネータICの低歪化手法について述べる。アッテネータ回路に対する考察より、歪みの原因が従来のFETのId-Vgsカーブの急峻なカットオフ特性に起因していることを見いだし、緩やかなカットオフ特性を得るために、異なる閾値電圧を持つ2個のFETを並列に接続する方法を考案した。これを実現する方法として短チャネル効果を利用したスクイズゲート構造FETを提案する。本構造FETを用いて試作したICは、従来構造と比較して3次相互変調歪で10dBの改善がみられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-09
著者
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
関連論文
- 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
- 2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
- 単一正電圧制御GaAs RFスイッチIC
- W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
- AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
- STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用単一電源パワーMMICの開発
- PHS用送受信一体型ハイブリッドICの開発
- C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
- 強誘電体キャパシタ内蔵GaAs MMIC (移動体通信特集) -- (要素技術)
- Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- W-CDMA基地局用200W MODFET
- 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- C-10-7 SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- C-10-5 低温成膜STO容量素子の熱処理特性
- ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- アクティブバラン内蔵GaAsシングルバランスドミキサー
- アクティブバラン内蔵シングルバランスドミキサー
- 位相シフト法によるGaAsFETの微細ゲート形成
- 位相シフト露光法による0.15μmT字型ゲートGaAs MODFETの形成
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
- スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
- 1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 高誘電率キャパシタ内蔵GaAsRFIC
- 新エッジ構造によるBSTキャパシタの特性改善
- GaAsIC用BSTキャパシタの信頼性に及ぼす粒界の影響