1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET
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概要
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低電圧動作の携帯電話用電力素子として、1.5V以下の低電圧で高効率を有するスパイクゲート構造パワーFETを開発した。本構造を用いることによりゲート抵抗、ドレインコンダクタンスを増加させることなく2.2Ω・mmの低オン抵抗、180mS/mmの高gmが得られた。試作したゲート幅40mmのFETは電源電圧1.5V、周波数900MHzにおいて出力31.5dBm、電力付加効率70%を示した。スパイクゲート構造は位相シフト露光と選択エッチを用いて形成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-17
著者
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
福井 武司
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
竹中 浩
松下電子工業(株)電子総合研
-
福井 武司
松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部
-
立岡 一樹
松下電子工業電子総合研究所
-
上田 哲三
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
野間 敦史
松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
-
立岡 一樹
松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部
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