大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
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概要
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GaAsパワーFETの変調波ひずみの原因として,表面準位に起因する周波数分散に着目して解析を行った.まず,FET大振幅動作におけるV_<gs>-I_d特性の周波数分散特性を測定した.その結果,得られたV_<gs>-I_d特性の高周波での特性はDCでの特性とは非常に異なっており,ドレーン電流がV_<gs>=0V付近で低下することを見いだした.更に,高周波領域のV_<gs>-I_d特性を用いた相互変調ひずみのシミュレーションを行った.その結果,周波数分散によるV_<gs>-I_d特性の非線形性の増大が,変調波ひずみを増大させる原因となることを明らかにした.また,ドレーン電流の周波数分散の温度依存性を測定した結果から,分散に関与する準位のエネルギーとして0.56および0.19eVの値を得た.更に,表面パッシベーション膜としてSiNとSiO_2を比較し,SiN膜は周波数分散が小さく,低ひずみ特性が得られることを明らかにした.
- 1994-07-25
著者
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
古川 秀利
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
古川 秀利
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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