AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
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概要
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AlGaAs/GaAs HBTの電流利得のエミッタ方向依存性について調べた。電流利得はエミッタ方向に依存し、[010]方向のエミッタをもつHBTの電流利得が最大であった。各HBTの少数キャリアの再結合過程を調べるために、ベース電流の理想係数を評価した結果、再結合過程はエミッタ方向に依存することがわかった。その原因をストレスにより生じるピエゾ電荷であると考え、ピエゾ効果を考慮したデバイスシミュレーションをおこなった結果、実験事実を説明することができた。また、HBTのオフセット電圧のエミッタ方向依存性からもピエゾ電荷の存在を確かめることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-24
著者
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
-
宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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