宮辻 和郎 | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

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関連著者

• 宮辻 和郎

  松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部

• 宮辻 和郎

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 石田 秀俊

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 田中 毅

  松下電子工業 電子総研

• 古川 秀利

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 古川 秀利

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 牧岡 敏史

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 小泉 治彦

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 西辻 充

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 西辻 充

  松下電子工業

• 牧岡 敏史

  松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究所センター

• 牧岡 敏史

  松下電子工業(株) 電子総合研究所

• 石川 修

  松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部

• 岩永 順子

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田邊 充

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 竹中 浩

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 田村 彰良

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 竹中 浩

  松下電子工業(株)電子総合研

• 石川 修

  松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 西辻 充

  松下電器産業半導体研究センター

• 石川 修

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 山本 真司

  松下電器産業 半導体社 事業本部ディスクリート事業部

• 福井 武司

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 丹波 泰之

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 上田 大助

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 福井 武司

  松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 横山 隆弘

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 山本 真司

  松下電子工業株式会社半導体社

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社半導体社

• 國久 武人

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 伊藤 順治

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 立岡 一樹

  松下電子工業電子総合研究所

• 杉村 昭久

  松下電子工業電子総合研究所

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 山本 真司

  工学院大

• 伊藤 順治

  松下電器産業(株)半導体社 アナログLSI事業部

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 國久 武人

  松下電子工業

• 横山 隆弘

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 立岡 一樹

  松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 横山 隆弘

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

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著作論文

• 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
• 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
• Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発
• Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
• 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
• 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
• GaAs FETの短チャネル効果を用いた低歪化アッテネータIC
• 2段ゲート長FETによるGaAs可変アッテネータの低歪化
• 単一正電圧制御GaAs RFスイッチIC
• 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
• 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
• AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
• PHS用送受信一体型ハイブリッドICの開発
• C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
• Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
• 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
• 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
• 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
• Ka帯用横型P-SI-NダイオードSPDTスイッチの開発

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