按田 義治 | 松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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梅田 英和
パナソニック株式会社
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上田 大助
パナソニック株式会社
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梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
鈴木 朝実良
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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山田 康博
パナソニック株式会社
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海原 一裕
パナソニック株式会社
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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鶴見 直大
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻及び量子界面エレクトロニクス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
鶴見 直大
パナソニック株式会社半導体デバイス研究センター
-
鶴見 直大
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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木下 雄介
パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター
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上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
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宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部
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宮辻 和郎
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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牧岡 敏史
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
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上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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西辻 充
松下電子工業
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牧岡 敏史
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究所センター
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牧岡 敏史
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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小久保 豊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株) 半導体デバイス研究センター
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石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
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田村 聡之
パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター
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梅田 英和
パナソニック株式会社デバイス社半導体デバイス開発センター
-
根来 昇
パナソニック株式会社
著作論文
- C-10-3 GSM用高出力DPDTスイッチIC
- 低誘電率膜を用いた0.15μmT型ゲートMODFET
- C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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