準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサフアイア基板を用い、独自のレーザ加工プロセスによりビアホールを形成してマイクロストリップ線路ペースのMMICを実現、26GHz帯で22dBの利得を得た。さらにサファイア基板をパッケージの一部とする新しいチップサイズパッケージを提案し、Ka帯での動作を実証した。送信用には放熱に優れたSi基板を用い、結晶状SiNゲート絶縁膜でゲート破壊耐圧を向上、55Vの電源電圧で10.7W(26.5GHz)の高出力を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-09
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
-
村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
按田 義治
パナソニック株式会社
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
-
根来 昇
パナソニック株式会社
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