高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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紫外発光ダイオード(LED)は光触媒や白色LEDの励起光源等への応用が期待されている。今回紫外LEDの低コスト化を実現できるSi基板上への高輝度紫外LEDの動作を確認した結果について報告する。従来のAlGaN三元活性層ではSi基板上に生ずる結晶欠陥が非発光再結合中心として働くため高輝度化が困難であったが、活性層にIn添加したInAlGaN四元活性層を用いることで局在励起子を利用した高輝度発光を実現した。得られたInAlGaN量子井戸活性層は350nm前後で発光し、内部量子効率は15%とこれまでにSiC基板上で得られた値と遜色ない値が得られた。
- 2007-10-04
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
福島 康之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
福島 康之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
高瀬 裕志
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
薄田 学
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
折田 賢児
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
-
折田 賢児
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
折田 賢児
松下電器産業(株)
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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