AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
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概要
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- 2006-11-17
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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