村田 智洋 | 松下電器産業(株)

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概要

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関連著者

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 上野 弘明

  松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 神田 敦彦

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 神田 敦彦

  松下電器産業

• 上野 弘明

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石井 基範

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石井 基範

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石井 基範

  松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電器産業

• 酒井 啓之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 酒井 啓之

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  パナソニック株式会社

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 松野 年伸

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 松野 年伸

  松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 松尾 尚慶

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 神保 孝志

  三重大学電気電子工学科

• LI Ming

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• LI Ming

  パナソニック ボストン研究所

• 中澤 敏志

  松下電器産業(株)半導体社

• 広瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 松尾 尚慶

  パナソニック株式会社

• Li Ming

  Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company

• 永井 秀一

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Jimbo T

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• 下沢 充弘

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 河合 正

  兵庫県立大学大学院工学研究科

• 石崎 俊雄

  松下電器産業(株)

• 土谷 亮

  京都大学情報学研究科

• 松本 公志

  古野電気(株)技術研究所

• 瀧澤 俊幸

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 土谷 亮

  京都大学

• 松本 公志

  古野電気株式会社技術研究所

• 永井 秀一

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 黒田 正行

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 永井 秀一

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 瀧澤 俊幸

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石崎 俊雄

  先行デバイス開発センターパナソニック株式会社

• 石崎 俊雄

  先行デバイス開発センター パナソニック株式会社

• 石崎 俊雄

  パナソニック株式会社先行デバイス開発センター

• 下沢 充弘

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 河合 正

  兵庫県立大学 大学院工学研究科

• 瀧澤 俊幸

  松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター

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著作論文

• 2008年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS2008)出席報告
• サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
• C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
• C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
• パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
• AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
• AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
• AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
• C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
• AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))

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