西嶋 将明 | 松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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尹 榮
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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尹 榮
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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勝野 元成
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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皆川 克也
松下電器産業(株) 半導体社 高周波半導体開発センター
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信定 俊英
松下電器産業(株) 半導体社 高周波半導体開発センター
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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福田 健志
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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宇治田 信二
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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勝野 元成
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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國久 武人
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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國久 武人
松下電子工業
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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藤本 裕雄
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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横山 隆弘
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
著作論文
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化MMIC技術
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- SC-10-5 チップサイズパッケージを用いた準ミリ波帯完全集積化MMIC技術(SC-10.無線通信・レーダセンサの世界を拓くミリ波デバイス・回路と関連技術)
- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器
- 移動体通信低電圧GaAsパワーMMICs