瀧澤 俊幸 | 松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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清水 順
パナソニック株式会社
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清水 順
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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ハリス ジェームスS
Department of Electrical Engineering,Stanford University
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柳原 学
パナソニック株式会社
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ハリス ジェームズ
松下電器産業(株) 半導体デバイス研究センター
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ハリス ジェームスs
Department Of Electrical Engineering Stanford University
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- 第一原理計算によるGaInAsNおよびGaAsSbNの物性比較
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 格子間フッ素によるGaN系トランジスタのノーマリオフ化機構(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 第一原理計算によるGaInAsNおよびGaAsSbNの物性比較
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造上にin-situ成膜した結晶状SiN極薄膜の評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法
- 窒化物半導体への局在バンド導入によるアクセプタ活性化の新手法(窒化物及び混晶半導体デバイス)