第一原理計算によるGaInAsNおよびGaAsSbNの物性比較
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概要
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第一原理的手法を用いて,GaInAsNおよびGaAsSbNのInおよびSb原子に起因する結晶性および電子構造について調べた.GaInAsN中に存在するIn原子とN原子との近接効果は大きく,結晶構造の変形や窒素局在準位の大きな変動を引き起こす.特にこの効果は最近接配置となるIn_x-Nクラスタにおいて顕著である.一方,GaAsSbN内におけるSb原子とN原子による近接効果は非常に小さいことがわかった.以上より,GaAsSbNのようなIII-V-V'-N型半導体は,GaInAsNといったIII-III'-V-N型半導体に比べて結晶性および電子構造において優位であり,またGaInAsNへのSb添加はGaInAsN材料の安定化に有効であると考えられる.
- 2002-10-04
著者
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
ハリス ジェームスS
Department of Electrical Engineering,Stanford University
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ハリス ジェームスs
Department Of Electrical Engineering Stanford University
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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