柳原 学 | パナソニック株式会社
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
-
柴田 大輔
パナソニック株式会社
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
LI Ming
パナソニック ボストン研究所
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
-
上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
中澤 一志
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
中澤 一志
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
-
永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
-
Li Ming.
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社
-
梅田 英和
パナソニック株式会社
-
井腰 文智
パナソニック株式会社
-
清水 順
パナソニック株式会社
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
- CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- GaNナチュラル スーパージャンクション ダイオード
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNパワーデバイス (特集 半導体)