ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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我々は今回、従来の方法では実現困難であったノーマリオフ化と低オン抵抗化の両立を実現する為に、ホール注入による伝導度変調を用いた新しい原理に基づいて動作するGaNパワートランジスタ(Gate Injection Transistor: GIT)を開発した。GITはAlGaN/GaN FETのゲート部に形成したp型ゲートによりゲート直下のチャネル部の電位を持ち上げて電子を枯渇させ、ノーマリオフ特性を実現する。さらに、p型ゲートからチャネル部へホール注入させることにより、チャネル部の伝導度を変調させてチャネル抵抗を低減させる。これによりノーマリオフにもかかわらず低オン抵抗なGaNトランジスタの実現が可能となった。作製したGITはしきい値が+1Vと良好なノーマリオフ特性を示し、最大ドレイン電流が200mA/mm、オン抵抗および耐圧はそれぞれ2.6mΩcm^2、640Vと、これまでに報告されたノーマリオフ型GaNトランジスタの中で最も優れた値を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-10
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
引田 正洋
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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