サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
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概要
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- 2008-03-06
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
-
LI Ming
パナソニック ボストン研究所
-
柴田 大輔
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
松尾 尚慶
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
柳原 学
パナソニック株式会社
-
永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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