柴田 大輔 | パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
パナソニック株式会社
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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柳原 学
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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山田 康博
パナソニック株式会社
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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村田 智洋
パナソニック株式会社
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按田 義治
パナソニック株式会社
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海原 一裕
パナソニック株式会社
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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柴田 大輔
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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パナソニック ボストン研究所
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上田 大助
パナソニック株式会社 先端技術研究所
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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著作論文
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- 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード