按田 義治 | パナソニック株式会社
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概要
関連著者
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田中 毅
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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按田 義治
パナソニック株式会社
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
著作論文
- C-10-5 Fe注入によるAlGaN/GaN HFETの高耐熱素子分離技術(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)