村田 智洋 | パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
松下電器産業(株)
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石田 秀俊
パナソニック株式会社
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上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上本 康裕
パナソニック株式会社
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石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
パナソニック株式会社
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社
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廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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田中 毅
パナソニック株式会社
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広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
パナソニック株式会社
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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引田 正洋
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
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柳原 学
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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神田 敦彦
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社
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神田 敦彦
松下電器産業
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酒井 啓之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社
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石井 基範
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石井 基範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石井 基範
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター
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西嶋 将明
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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村田 智洋
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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池田 義人
松下電器産業
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酒井 啓之
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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永井 秀一
パナソニック株式会社先端技術研究所
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
パナソニック株式会社
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黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター
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柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
パナソニック株式会社
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根来 昇
松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
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森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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中澤 敏志
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
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山田 康博
パナソニック株式会社
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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海原 一裕
パナソニック株式会社
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森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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松尾 尚慶
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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柳原 学
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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神保 孝志
三重大学電気電子工学科
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LI Ming
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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永井 秀一
パナソニック ボストン研究所
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LI Ming
パナソニック ボストン研究所
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中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
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広瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松尾 尚慶
パナソニック株式会社
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Li Ming
Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company
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神保 孝志
名古屋工業大学
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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Jimbo T
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
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永井 秀一
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
-
黒田 正行
Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company
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永井 秀一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社先端技術研究所
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井上 薫
パナソニック株式会社 先端技術研究所
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瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
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根来 昇
パナソニック株式会社
著作論文
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
- C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果
- C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
- AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET (特集/第20回テクノフェスタ)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN MODFETの電気特性のゲート方位依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング (小特集 パワー半導体結晶成長)
- 準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
- P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)