神保 孝志 | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

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概要

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• 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センターの論文著者

関連著者

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 梅野 正義

  名古屋工業大学

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 神保 孝志

  三重大学電気電子工学科

• Jimbo T

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 小田 修

  日本ガイシ株式会社

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター : 日本ガイシ株式会社

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 小田 修

  日本ガイシ(株)

• アルルクマラン サブラマニアム

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• Arullkumaran Subramaniam

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 曽我 哲夫

  名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻

• 坂井 正宏

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 三好 実人

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 三好 実人

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 見田 充郎

  沖電気工業

• 佐野 芳明

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 山田 朋幸

  沖電気工業(株)研究開発本部

• 海部 勝晶

  沖電気工業研究開発本部

• 中路 雅晴

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 佐野 芳明

  沖電気工業

• 槇田 毅彦

  沖電気工業株式会社研究開発本部:超低損失電力素子技術開発研究体

• 海部 勝晶

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 海部 勝晶

  沖電気工業株式会社

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ株式会社

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• ARULKUMARAN Subramaniam

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 槙田 毅彦

  沖電気工業(株)研究開発本部 半導体技術研究所

• 深見 武志

  名古屋工業大学

• 中田 尚幸

  名古屋工業大学電気情報工学科

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 槙田 毅彦

  沖電気工業

• 勝川 裕幸

  日本ガイシ

• 國政 文枝

  名古屋工業大学

• 梅野 正義

  中部大学工学部電子工学科

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 中村 光一

  名古屋工業大学

• 田口 裕規

  名古屋工業大学

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 鷺森 友彦

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 梅野 正義

  中部大学工学部

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• Zhao Guang-yuan

  Research Center For Micro-structure Devices Nagoya Institute Of Technology

• 趙 廣元

  名古屋工業大学・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 池田 義人

  松下電器産業

• 張 佰君

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 大来 英之

  沖電気工業株式会社研究開発センタ

• 川口 雅司

  鈴鹿工業高等専門学校

• 加藤 正博

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 見田 充郎

  沖電気工業株式会社 研究開発本部

• 岡田 尚晃

  名古屋工業大学

• 板倉 健太郎

  名古屋工業大学

• 松井 慎一

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 浅野 健太

  名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター

• 坂井 正宏

  日本ガイシ株式会社

• Hao Maosheng

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 川口 雅司

  鈴鹿工業高等専門学校電気工学科

• 青山 隆史

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 大来 英之

  沖電気工業

• 浅野 健太

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 青山 隆史

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

• 西川 直宏

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 市川 智士

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石井 基範

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 尾関 龍夫

  三菱電機

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 鎌田 直樹

  名古屋工業大学工学研究科

• 梅野 正義

  中部大学

• 林 靖彦

  名古屋工業大学工学研究科未来材料創成工学専攻

• 石井 基範

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 梅野 正義義

  名古屋工業大学

• 正戸 宏幸

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 正戸 宏幸

  松下電器産業株式会社半導体研究センター

• 尾関 龍夫

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 林 靖彦

  名古屋工業大学

• 三浦 成久

  三菱電機先端技術総合研究所

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 三浦 成久

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 吹田 宗義

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 南條 拓真

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 阿部 雄次

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 阿部 雄次

  三菱電機先端総研

• 平松 和政

  三重大 工

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• 平松 和政

  三重大学 工学部

• 南條 拓真

  三菱電機

• 西川 直宏

  名古屋工業大学

• 増井 寛二

  名古屋工業大学工学部電気情報工学専攻

• 石井 基範

  松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究所センター

• 吹田 宗義

  三菱電機

• 根萩 隆智

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 神保 孝志

  都市循環システム工学専攻

• 正戸 宏幸

  松下電器

• 大村 浩嘉

  名古屋工業大学工学部電気情報工学専攻

• 増井 寛二

  名古屋工業大学

• 平松 和政

  三重大学 大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学 大学院工学研究科

• 渡邉 純二

  熊大院

• 足立 雅和

  名古屋工業大学

• Damodare Laxmikant

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• Krishna Kalaga

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• Md. Mosaddeq-ur-Rahman

  名古屋工業大学大学院ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 村瀬 幸祐

  名古屋工業大学

• 小川 隆司

  名古屋工業大学

• 堀 健吾

  名古屋工業大学

• 王 剛

  名古屋工業大学

• 赤堀 仁哉

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 王 鋼

  名古屋工業大学大学院工学研究科

• 大野 彰仁

  名古屋工業大学

• 槇田 毅彦

  沖電気工業株式会社研究開発本部

• 平野 武範

  鈴鹿工業高等専門学校

• 邵 春林

  名古屋工業大学工学部電気情報工学科

• Krishna K

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 児玉 一志

  フジミインコーポレーテッド(株)

• Arulkumaransu Subramanian

  名古屋工業大学

• 中嶋 堅志郎

  名工大

• 兪 国林

  名工大

• 三宅 秀人

  三重大学電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学電気電子工学科

• 梅野 正義

  名工大

• 神保 孝志

  名工大

• 江瀧 修

  名工大

• 泉 勝俊

  大阪府大

• 児玉 一志

  フジミインコーポレテッド

• 児玉 秀作

  名古屋工業大学大学院都市循環システム専攻

• 神村 俊光

  名古屋工業大学

• 邵 春林

  名古屋工業大学

• 槇田 毅彦

  沖電気工業株式会社研究開発センタ

• ザマン カジ

  名古屋工業大学電気情報工学専攻

• 杣田 一郎

  名古屋工業大学

• 国政 文枝

  名古屋工業大学 電気情報工学科

• 江川 孝志

  極微構造デバイスセンター

• 石黒 靖浩

  名古屋工業大学

• カジ イクバルザマン

  名古屋工業大学 名古屋

• Rahman Md.Mosaddeq-ur

  名古屋工業大学大学院ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

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著作論文

• Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
• Characterization of TiO2 Incorporated Zeolite Thin Films for solar Cell Application
• C-4-34 Si基板上InGaN MQW LEDの作製
• Si基板上にSeS_2を用いて接着した高品質GaAs薄膜の作製とそのデバイス応用
• エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
• C-10-4 水素系プラズマ処理によるSi上GaAs層のパッシベーション効果
• C-6-12 MOCVD法により成長したSi基板上InGapの特性改善
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
• 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
• AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
• メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
• サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
• MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
• サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
• MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
• C-10-6 サファイア基板上AI_xGa_Nのショットキー特性
• SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
• MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• ハイドープSiエピタキシャル基板の精密加工技術
• RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
• RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
• RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
• C-4-25 GaN/AlGaN distributed Bragg reflectorを用いたInGaN MQW LEDの高性能化
• Si基板上GaNの暗点密度観察
• Si基板上GaNの暗点密度観察
• Si基板上GaNの暗点密度観察
• 大きさ・位置特定ネットワークによる最高速度標識の認識システム
• A-1-9 CMOS多値回路の設計と画像処理への応用
• D-2-1 生態の視覚系モデルによる動き検出アナログ電子回路
• エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
• エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
• AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
• AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
• 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上GaAs系レーザに関する研究
• Si基板上赤外面発光レーザ用半導体多層膜反射鏡
• 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究
• 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究
• Si基板上GaAs系面発光レーザの特性改善に関する研究
• エピタキシャルAlN/Sapphireテンプレート上に成長したInGaN系LEDの評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• エピタキシャルAlN/Sapphireテンプレート上に成長したlnGaN系LEDの評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
• リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性
• リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
• リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
• 常圧MOCVD法によるGaN/AlGaN多層膜反射鏡の作製
• Si基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの閾値電流の解析
• Si上面発光レーザ
• Si基板上へのGaAs系およびGaN系結晶のヘテロエピタキシーとデバイス応用
• GaN系面発光レーザ用GaN/Al_Ga_N多層膜反射鏡の作製 (窒化物・青色光半導体)
• C-4-33 TiO_2/SiO_2誘電体多層膜反射鏡を用いたサファイア基板上InGaN MQW LED
• 青色面発光レーザ用GaN/AlGaN半導体多層膜反射鏡の作製
• 青色面発光レーザ用GaN/AlGaN半導体多層膜反射鏡の作製
• MOCVD法によるGaAs基板上への島状InGaAs自己形成
• AlGaN/GaNヘテロ構造の諸特性と高電子移動度トランジスター
• SC-5-5 サファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性

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