Si基板上GaAs系面発光レーザの特性改善に関する研究
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概要
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我々はSi上GaAs成長における熱サイクルアニール(TCA)の温度を、350℃〜850℃から300℃〜1000℃にすることによって、転侍低減とともに表面ラフネスが抑制されることを確認した。これは、半導体多層膜反射鏡(DBR)を使川する、Si基板上GaAs系面発光レーザの実用化に向けて、大きな役割を果たすと考えられる。このように、TCAの温度を300℃〜100℃にすることによって、Si基板上AlAs/Al_<0.1>Ga_<0.9>AsDBRの最高反射率が97.4%から99.2%まで上昇し、98%以上の反射率を持つ波長域が約40nmと、広帯域で得られた。また、Si基板上In_<0.02>Ga_<0.98>As10重量子井戸面発光レーザを作製したところ、230Kにおいて閾値電流102.0mA、閾値電流密度6.19kA/cm-2の連続動作が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-02-24
著者
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
深見 武志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
國政 文枝
名古屋工業大学
-
根萩 隆智
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
国政 文枝
名古屋工業大学 電気情報工学科
-
江川 孝志
極微構造デバイスセンター
-
神保 孝志
都市循環システム工学専攻
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