歪み超格子を中間層に用いたSi基板上へのIII-V化合物半導体のMOCVD成長
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概要
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GaAs is grown on Si substrate with strained superlattice intermediate layers. Defects, deep levels and stress of the grown GaAs layers on Si are characterized. The use of straind layer superlattices would be effective to obtain other III-V compound semiconductors on Si substrates.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1987-04-25
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