GaN系面発光レーザ用GaN/Al_<0.6>Ga_<0.4>N多層膜反射鏡の作製 (<小特集>窒化物・青色光半導体)
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概要
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サファイア基板上GaN/AlGaN DBRをMOCVD法により減圧条件下で作製した。DBRに用いたAIGaNのAI組成はX線回折により見積もったところ0.6であった。DBRの形成前に挿入するGaN層の膜厚を最適化することにより、クランクのないDBRの作製に成功し、45.5周期のDBRにおいて98%以上の高反射率が得られた。また、作製したDBRは反射率特性におけるピーク波長の面内分布が小さく、均一性の高い反射鏡であった。作製したDBRにはクランクが無く、平坦性に優れた反射鏡であることから、GaN系面発光レーザの実現に有効であると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-08
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
梅野 正義
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
梅野 正義
中部大学工学部
-
中田 尚幸
名古屋工業大学電気情報工学科
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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