4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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本研究では、4H-SiC基板上AlGaN/GaNへテロ構造のMOCVD成長とその評価を行った。使用した4H-Sic基板の表面粗さはサファイア基板の約10倍という大きな値であったが、室温下でホール効果測定を行ったところ、AlNモル分率0.26で1348cm^2 /Vsの移動度、及びAlNモル分率0.26以上でシートキャリア密度1×10^<13> cm^<-2> 以上の良好な値が得られた。さらにAlGaN/GaN高電子移動度トランジスター(HEMT)を作製し、特性評価を行った。試作した4H-sic基板上AlGaN/GaN HEMTのゲート長は2.2μmと比較的長いにも関わらず、最大相互コンダクタンスg_>mmax< は287mS/mm、最大ドレイン-ソース電流I_<Dsmax> は900mA/mmという高い値を得た。自己発熱による電流低下は極めて少なく、高い放熱性を有するSiC基板の有効性が示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-07
著者
-
張 佰君
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
市川 智士
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
アルルクマラン サブラマニアム
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
Arullkumaran Subramaniam
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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