AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入

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概要

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• 質量の重い亜鉛イオンをGaNエピ膜のc軸方向に沿って注入することで高抵抗層を形成した。最大のシート抵抗およびその試料の活性化エネルギーはそれぞれ3E13Ω/sq、0.67eVで非常に高い値が得られた。しかし、500℃より高い熱処理を行うとシート抵抗が急激に減少し、活性化エネルギーも小さくなった。さらにAlGaN/GaN HEMTの素子分離に適用し、GaNエピと同様の高いシート抵抗(6.0E11Ω/sq)と良好なトランジスタ特性を得た。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-10-03

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 尾関 龍夫

  三菱電機

• 尾関 龍夫

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 三浦 成久

  三菱電機先端技術総合研究所

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 三浦 成久

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 吹田 宗義

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 南條 拓真

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 阿部 雄次

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 阿部 雄次

  三菱電機先端総研

• 神保 孝志

  名古屋工業大学

• 南條 拓真

  三菱電機

• 吹田 宗義

  三菱電機

• 神保 孝志

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

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