尾関 龍夫 | 三菱電機
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概要
関連著者
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尾関 龍夫
三菱電機
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尾関 龍夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機先端総研
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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三浦 成久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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南條 拓真
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機(株)
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江川 孝志
名古屋工業大学
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南條 拓真
三菱電機
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吹田 宗義
三菱電機
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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木股 雅章
立命館大学
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小笹山 泰浩
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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白石 匡
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
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八木 宏文
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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遠藤 加寿代
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
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神保 孝志
名古屋工業大学
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白石 匡
三菱電機
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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尾関 龍夫
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中本 隆博
三菱電機株式会社
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木股 雅章
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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木股 雅章
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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木股 雅章
三菱電機(株)
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八木 宏文
三菱電機(株) 半導体基礎研究所
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阿部 雄次
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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吉田 直人
三菱電機株式会社波光括
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高見 哲也
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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和田 幸彦
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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黒田 研一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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堀端 慎二
三菱電機先端技術総合研究所
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堀端 慎二
三菱電機株式会社応用機器研究所
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鈴木 栄々
三菱電機
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鳥生 次郎
三菱電機
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尾関 龍夫
三菱電機株式会社応用機器研究所
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丸野 茂光
三菱電機株式会社人材開発センター
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伊東 尚
三菱電機(株)鎌倉製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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鳥生 次郎
三菱電機株式会社材料研究所セラミック技術部
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尾関 龍夫
三菱電機・材料研究所
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伊藤 尚
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
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丸野 茂光
三菱電機株式会社先端総研
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木股 雅章
三菱電機株式会社
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木股 雅章
三菱電機
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丸野 茂光
三菱電機株式会社
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小笹山 泰浩
三菱電機(株)先端技術総合研究所
著作論文
- 1)801×512画素PtSiショットキバリア赤外線イメージセンサ(情報センシング研究会)
- SISミクサに向けたBKBO接合の特性改善
- 2)複合形薄膜磁気ヘッドの特性(録画研究会(第43回))
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 赤外線イメージセンサ
- 801x512画素PtSiショットキバリア赤外線イメージセンサ