801x512画素PtSiショットキバリア赤外線イメージセンサ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A high-performance 801x512-element PtSi Schottky-barrier infrared image sensor has been developed with an enhanced Charge Sweep Device (CSD) readout architecture. In the enhanced CSD, the power consumption of the CSD has been reduced by employing a multiphase CSD with an on-chip multiphase CMOS clock generator. Flexible vertical scan is also possible using a newly developed transfer gate scanner. A large fill factor of 61% is obtained in spite of the small pixel size of 17x20 μm^2. The differential temperature response and noise equivalent temperature difference with f/1.2 optics at 300 K were 2.2x10^4 electrons/K and 0.037K, respectively. The saturation signal level was 2.1x10^4 electrons and the total power consumption of the device was about 50mW.
- 1997-12-19
著者
-
木股 雅章
立命館大学
-
小笹山 泰浩
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
白石 匡
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
-
八木 宏文
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
遠藤 加寿代
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
尾関 龍夫
三菱電機
-
白石 匡
三菱電機
-
木股 雅章
三菱電機株式会社
-
尾関 龍夫
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
関連論文
- 一番星へ行こう!日本の金星探査機の挑戦 その8 : PLANET-C搭載2ミクロン帯カメラIR2の開発
- 見えないものを視る
- SPIE Infrared Technology and Applications XXIX 報告
- Infrared Position Sensitive Detector (IRPSD)
- 赤外線イメージセンサ(安全・安心のための映像情報技術)
- 640×480画素SOIダイオード方式非冷却赤外線FPA
- 非冷却赤外線イメージセンサの開発動向
- SPIE Infrared Technology and Applications XXXI 報告
- PtSiショットキバリア赤外線イメージセンサ
- 25μmピッチ320×240画素SOIダイオード方式非冷却赤外線FPA
- 非冷却赤外線イメージセンサの最近の動向
- 島津製作所基盤研究所
- SOI ダイオードを用いた 8 万画素非冷却赤外センサ
- 基礎から応用へ広がるマイクロマシン (特集1 広がりゆくマイクロマシン)
- SOI基板を用いた320×240画素非冷却赤外イメージセンサ
- 1)801×512画素PtSiショットキバリア赤外線イメージセンサ(情報センシング研究会)
- 7)高感度512×512画素PtSiイメージセンサ(情報入力研究会)
- 高感度512×512画素PtSiイメージセンサ : 情報入力
- 4)100万画素赤外線イメージセンサ(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 100万画素赤外線イメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 485×510画素1/2インチフォーマットカラーイメージセンサ
- 6)電荷掃きよせ方式を用いた1/2インチ固体像素子((テレビジョン方式・回路研究会(第101回)テレビジョン電子装置研究会(第132回))合同)
- SISミクサに向けたBKBO接合の特性改善
- 赤外線センサのための真空パッケージング技術
- 2)複合形薄膜磁気ヘッドの特性(録画研究会(第43回))
- 複合型薄膜磁気ヘッドの特性
- B204 「あかつき」搭載IR2カメラで探る金星気象(スペシャル・セッション「金星気象衛星「あかつき」の科学」,口頭発表)
- n-MOS Siプロセスによる人工網膜チップ
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- 赤外線センサ用真空パッケージング技術
- ショットキー型赤外線センサ
- 赤外線センサの開発動向 (情報センシング・第8回赤外放射の応用関連学会年会)
- 三菱電機(株) 先端技術総合研究所
- 近赤外の検出器・カメラ
- 赤外線イメージセンサの進歩
- 国内・国外における赤外線センシング技術の最近の進歩
- 512×512画素GeSi/Siヘテロ接合赤外線検知素子
- 12-5 512x512画素GeSi/Siヘテロ接合赤外線検知器
- GeSi/Siヘテロ接合赤外線受光素子
- 4-1 赤外カメラ(4.不可視光カメラ)(特殊撮像技術)
- モノリシック赤外線CCD (半導体センサの最新テクノロジ-)
- シリコン・ショットキ形赤外イメ-ジセンサ
- GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- 4)512×512画素シリコン・ショットキバリア赤外イメージセンサ(テレビジョン電子装置研究会)
- 512×512画素シリコン・ショットキバリア赤外イメージセンサ
- 電荷掃きよせ方式を用いた1/2"固体撮像素子(固体撮像特集)
- 赤外線イメージセンサ
- Si系モノリシック赤外線センサ
- 高感度SOIダイオード方式非冷却赤外線FPA (情報センシング)
- 非冷却赤外線イメージセンサの技術動向
- 赤外線イメージセンサ技術の現状と将来
- 量子型赤外線イメージセンサの開発動向
- 革新的センシング技術 非冷却赤外線アレイセンサ
- 赤外線イメージセンサ (特集 次世代センサー技術の展望)
- 801x512画素PtSiショットキバリア赤外線イメージセンサ
- 赤外線センサの開発動向(第8回赤外放射の応用関連学会年会)
- 赤外イメージセンサの開発動向
- 三菱電機光マイクロ波開発研究所案内記 : ドイツ結晶成長学会との国際交流
- SPIE Defense & Security Symposium 2004 報告
- マイクロミラーアレーを用いた高感度サーモパイル型赤外線アレーセンサの開発(電子デバイスの高速・高密度実装とインテグレーション技術論文)
- GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの開発(第9回赤外放射の応用関連学会年会)
- マイクロミラーアレーを用いた高感度サーモパイル型赤外線アレーセンサの開発
- 座談会「赤外線サーモグラフィによる環境計測の現状と今後の課題」
- Infrared Position Sensitive Detector (IRPSD) の高感度化
- 非冷却赤外線アレイセンサ用マイクロレンズ
- TECレス動作を実現するSOIダイオード方式非冷却赤外線FPAの新規読み出し回路アーキテクチャ
- 大気中で動作する赤外線センサ画素の熱設計
- 赤外線用マイクロレンズアレイ製作におけるグレースケールリソグラフィプロセスの改善
- SPIE Infrared Technology and Applications XXXIV 報告
- センサノード低消費電力化のためのノーマリーオフ動作検証環境の構築と評価
- センサノード低消費電力化のためのノーマリーオフ動作検証環境の構築と評価
- 3. 赤外線イメージング(非可視光領域のセンシング・画像処理技術)
- センサノード低消費電力化のためのノーマリーオフ動作検証環境の構築と評価(省電力化機構,組込み技術とネットワークに関するワークショップETNET2013)
- センサノード低消費電力化のためのノーマリーオフ動作検証環境の構築と評価(省電力化機構,組込み技術とネットワークに関するワークショップETNET2013)
- GaSb/InAs Type-II超格子赤外線センサの量子効率評価(第11回赤外放射の応用関連学会年会)
- M-025 間歇動作による低消費電力イメージセンサノードの開発と検証(M分野:ユビキタス・モバイルコンピューティング,一般論文)