SOI基板を用いた320×240画素非冷却赤外イメージセンサ
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概要
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A 320x240 element uncooled infrared FPA(Focal Plane Array)with series PN junction diodes fabricated on a SOI(Silicon On Insulator)wafer has been developed. The forward-biased diodes are used as a temperature detector by measuring the voltage drop across them. The diode has low 1/f noise because it is fabricated on the monocrystalline SOI layer which has few defects. The pixel contains an infrared absorbing structure with a high fill factor of 90% to achieve high absorption. The FPA has shown the NETD(Noise Equivalent Temperature Difference)of 0.17K with f/1.0 optics. The whole structure can be fabricated in a conventional silicon LSI process line. This feature considerably reduces the cost of uncooled FPAs.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2000-02-25
著者
-
木股 雅章
立命館大学
-
木股 雅章
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
上野 雅史
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
中木 義幸
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
太田 泰昭
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
石川 智広
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
遠藤 加寿代
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
曽根 孝典
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
曽根 孝典
三菱電機 先端技総研
-
木股 雅章
三菱電機株式会社
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