赤外イメージセンサの開発動向

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概要

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本論文では量子型赤外線検出器を集積した冷却赤外イメージセンサと熱型赤外検出器を用いた非冷却赤外線イメージセンサの最近の技術動向について解説する。対象とする赤外イメージセンサは、Siベースの内部光電子放出方式、狭バンドギャップ化合物半導体を用いたイントリンシック方式、量子井戸方式、強誘電体方式、抵抗ボロメータ方式である。さらに、新しい非冷却赤外イメージセンサとしてSOI基板上のダイオードを温度センサとした方式についても紹介する。冷却方式では高感度化、高解像度化が進んでいるが、非冷却赤外イメージセンサはローエンドの新しい赤外線応用を切り開きつつある。
2001-02-23

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