12-5 512x512画素GeSi/Siヘテロ接合赤外線検知器
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概要
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We have developed a monolithic 512x512 elements GeSi/Si heterojunction infrared image sensor. The pixel size is 34x34μm^2. The fill factor is 59%. The noise equivalent temperature difference (NETD) with f/2.0 optics at 300K is 0.08K.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1998-10-29
著者
-
木股 雅章
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
和田 英男
防衛庁技術研究本部
-
中西 淳治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
伊東 尚
三菱電機(株)鎌倉製作所
-
和田 英男
防衛庁技術研究本部 第2研究所
-
和田 英男
防衛庁技術研究本部第2研究所
-
長嶋 満宏
防衛庁技術研究本部第2研究所
-
林 健一
防衛庁技術研究本部第2研究所
-
能田 祐昌
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
伊東 尚
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
熊田 祐昌
三菱電機株式会社
-
伊藤 尚
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
-
木股 雅章
三菱電機株式会社
-
和田 英男
防衛庁技術研究本部第2研究所第3部光波電子戦研究室
-
林 健一
防衛庁技術研究本部第2研究所第3部光波電子戦研究室
-
長嶋 満宏
防衛庁技術研究本部 第2研究所
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