メサ型HgCdTe素子中の深い準位の評価

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2000-12-08

著者

• 守本 純

  防衛大機能材料

• 和田 英男

  防衛庁技術研究本部

• 守本 純

  防衛大学校材料物性工学

• 守本 純

  防衛大学校 電気情報学群

• 和田 英男

  防衛庁技術研究本部 第2研究所

• 和田 英男

  防衛庁技術研究本部第2研究所

• 吉野 順也

  防衛大学校 電気情報学群

• 守本 純

  防衛大

• 和田 英男

  防衛庁 技術研究本部 第二研

• 和田 英男

  防衛庁技術研究本部第2研究所第3部光波電子戦研究室

関連論文

• 1P3-2 アモルファスSi-Ge-Au薄膜の光音響スペクトルと熱電特性の相関(ポスターセッション)
• 2P1-6 赤外線カメラとPPE法を用いたLiNbO_3の欠陥評価(ポスターセッション)
• 1-04P-13 光音響分光法によるCuInSe_2系材料の研究(ポスターセッション 1)
• 1-04P-12 アモルファスSi/Au/Ge/Au 4層周期超格子の光音響スペクトルと熱電特性(ポスターセッション 1)
• PE-9 アンチモンドープセレン化亜鉛の光音響分光法による評価
• 検出器
• 放射率法によるSi中の酸素濃度測定
• 超音波基礎 PTCDA薄膜の光音響分光--熱処理を施したPTCDA薄膜の光音響スペクトルによる解析
• 劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
• 紫外線検知材料として注目されるZnOの光学特性
• 超音波基礎 光音響分光法による焼成粉末の非発光特性評価--Zinc Silicate系粉末への適用
• P3-58 PTCDA薄膜の光音響スペクトルのアニール温度依存性(ポスターセッション3(概要講演))
• P3-56 Co,およびPr添加Zinc Silicate焼成粉末の光音響分光法による非発光特性評価(ポスターセッション3(概要講演))
• 超音波基礎 光音響スペクトルを用いたCo添加ZnO中のCoイオンの状態評価
• 超音波基礎 光音響分光法によるポーラスシリコンのショットキー電極の評価
• P1-45 Co添加ZnOの光音響スペクトルに及ぼすCoイオンの影響(ポスターセッション1(概要講演))
• P1-44 結晶性の異なるZnO薄膜の光音響分光法による非輻射遷移過程評価(ポスターセッション1(概要講演))
• 27aYG-3 焼結体Teの磁気ゼーベック効果およびネルンスト効果(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 超音波基礎 光音響分光法による焼成プロセスの評価--酸化物セラミクスCoドープ酸化亜鉛への適用
• P2-E-49 巨大熱電能を持つアモルファスSi-Ge-Au薄膜の再結晶化過程の基板温度依存性のPASによる評価(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
• P2-E-45 CoドープZnOからの光音響スペクトルのサイズ依存性(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
• P2-E-44 光音響分光法によるポーラスシリコンのショットキー電極の評価(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
• P1-26 三元系化合物Cu_2SiS_3の光音響分光(ポスターセッション1,ポスター発表)
• P1-23 巨大熱電能を示すアモルファスSi-Ge-Au薄膜のPASによる熱処理による変化の評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
• P2-23 Sb_2O_3を添加したZnOバリスタの光音響スペクトル(ポスターセッション2,ポスター発表)
• P1-27 GaAs微粒子のマイクロフォン光音響スペクトル(ポスターセッション1,ポスター発表)
• QD05 ZnO-CoO混晶の光音響スペクトルによる評価(ポスターセッションII)
• QD04 マイクロフォン法と圧電トランスデュサー法によるポーラスシリコンの光音響スペクトル(ポスターセッションII)
• QD03 ZnOバリスタの光音響分光法による評価(ポスターセッションII)
• ニッケルとシリコンを二重に添加したシリコンカーバイド焼結半導体の熱電特性
• PC5 光を照射された多孔質シリコンの光音響分光(光-超音波エレクトロニクス,ポスターセッション1)
• PA12 多孔質シリコンの光音響分光と表面構造(ポスターセッション2)
• OA2 多孔質シリコンの光音響分光によるバンドギャップの評価(基礎・物性)
• PD4 光熱偏向分光法による多層構造の画像化(ポスターセッション1)
• PA2 マイクロフォンPASにおけるS/N比の改善(ポスターセッション1-概要講演・展示)
• PA19 Cu_xS/CdSヘテロ接合の光音響分光(ポスタセッションA-概要講演・展示)
• PC16 差分PPE法による半導体の熱拡散率の測定(ポスターセッション概要講演)
• 3J-4 半導体のパルス光音響効果(光音響)
• メサ型 HgCdTe 素子中の深い準位の評価
• メサ型HgCdTe素子中の深い準位の評価
• 256×256画素小型非冷却赤外線カメラ
• 256×256画素小型非冷却赤外線カメラ
• Si基板上MCT薄膜結晶と不純物ドーピング
• P-31 二次元照射PASとCdS : Cuの電子構造(ポスター・セッション)
• 日本における赤外線センサ技術の開発
• 多結晶 GaAs への AR および DLC コーティング特性
• ダイヤモンド分散 ZnS 赤外線窓材の作製と評価
• 非冷却赤外線センサ
• 1-PG-7 共振板付トランスデューサによる固体PAスペクトルの測定(1-P.ポスターセッション(概要講演))
• 改良RDLTS法によるSi:Auの電子放出率への電場効果の測定
• C-2 トランスデューサ法赤外光音響波形の解析(光音響分光法)
• G-3 P-Geにおける赤外PA信号の非線形特性(光音響)
• C-2 CdSのルビーレーザ誘起パルス光音響効果(一般講演)
• C-1 圧電トランスデューサ法によるCdS:Cuの光音響分光(一般講演)
• 3)ボロメータ型非冷却赤外線センサ(情報センシング研究会)
• ボロメータ型非冷却赤外線センサ
• 256x256画素ボロメータ型非冷却赤外線センサ
• 2-6 256×256画素ボロメータ型非冷却赤外線撮像装置
• 2E-9 電子線照射LiNbO_3単結晶基板の評価(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)
• 2D11 劣化した ZnO バリスタ中のバルクトラップの SADLTS 法による評価
• 高精細赤外線撮像実験装置について
• ホログラフィック光学素子の複色化について
• 512×512画素GeSi/Siヘテロ接合赤外線検知素子
• 12-5 512x512画素GeSi/Siヘテロ接合赤外線検知器
• GeSi/Siヘテロ接合赤外線受光素子
• 非冷却赤外線センサシステムにおける視認性改善処理
• 128×128画素量子井戸型赤外線検知素子
• レーザーアブレーション法によるLa_Ca_xMnO_z薄膜の酸素欠乏効果
• 多結晶GaAsへのAR及びDLCコーティング特性
• Bi添加LSMOのボロメータ材料特性評価
• YBaCuO非冷却赤外線ボロメータ素子
• ボロメータ型赤外線イメージセンサとその将来動向
• Si系モノリシック赤外線センサ
• Si基板上HgCdTe薄膜結晶における不純物ド-ピング
• 非冷却赤外線センサー材料としての酸化バナジウム薄膜の特性評価
• 赤外線ド-ム材料の高温光学特性
• シリーズ基礎技術講座(シリーズ7)光波技術 第3講 光波センサ技術(その2)
• 基礎技術講座(シリーズ12)光波技術(第2講)光波センサ技術(前編)
• 非冷却赤外線センサ
• 高感度非冷却赤外線センサに向けたSiGe系薄膜の研究
• 2Pa1-2 電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶の光音響分光法による評価(ポスターセッション)
• 3Pb1-8 密度制御したSiC焼結体の光焦電法による熱拡散率の評価(ポスターセッション)
• 6pSB-3 低温におけるSi/Ge超格子薄膜の熱電特性(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク