PA2 マイクロフォンPASにおけるS/N比の改善(ポスターセッション1-概要講演・展示)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
- 1995-11-27
著者
-
岡本 庸一
防衛大機能材料
-
守本 純
防衛大機能材料
-
岡本 庸一
防衛大・材料
-
守本 純
防衛大・材料
-
宮川 浹
千葉工大・情報
-
宮川 浹
防衛大・材料物性工学
-
板倉 成
防衛大・材料物性工学
-
佐藤 侯治
防衛大・材料物性工学
関連論文
- 1P3-2 アモルファスSi-Ge-Au薄膜の光音響スペクトルと熱電特性の相関(ポスターセッション)
- 2P1-6 赤外線カメラとPPE法を用いたLiNbO_3の欠陥評価(ポスターセッション)
- 1-04P-13 光音響分光法によるCuInSe_2系材料の研究(ポスターセッション 1)
- 1-04P-12 アモルファスSi/Au/Ge/Au 4層周期超格子の光音響スペクトルと熱電特性(ポスターセッション 1)
- P1-51 Sm_6Ga_S_の合成及び光音響スペクトル(ポスターセッション1(概要講演))
- PE-9 アンチモンドープセレン化亜鉛の光音響分光法による評価
- 超音波基礎 PTCDA薄膜の光音響分光--熱処理を施したPTCDA薄膜の光音響スペクトルによる解析
- 劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
- 紫外線検知材料として注目されるZnOの光学特性
- 超音波基礎 光音響分光法による焼成粉末の非発光特性評価--Zinc Silicate系粉末への適用
- P3-58 PTCDA薄膜の光音響スペクトルのアニール温度依存性(ポスターセッション3(概要講演))
- P3-56 Co,およびPr添加Zinc Silicate焼成粉末の光音響分光法による非発光特性評価(ポスターセッション3(概要講演))
- 超音波基礎 光音響スペクトルを用いたCo添加ZnO中のCoイオンの状態評価
- 超音波基礎 光音響分光法によるポーラスシリコンのショットキー電極の評価
- P1-45 Co添加ZnOの光音響スペクトルに及ぼすCoイオンの影響(ポスターセッション1(概要講演))
- P1-44 結晶性の異なるZnO薄膜の光音響分光法による非輻射遷移過程評価(ポスターセッション1(概要講演))
- 27aYG-3 焼結体Teの磁気ゼーベック効果およびネルンスト効果(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
- 超音波基礎 光音響分光法による焼成プロセスの評価--酸化物セラミクスCoドープ酸化亜鉛への適用
- P2-E-49 巨大熱電能を持つアモルファスSi-Ge-Au薄膜の再結晶化過程の基板温度依存性のPASによる評価(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- P2-E-45 CoドープZnOからの光音響スペクトルのサイズ依存性(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- P2-E-44 光音響分光法によるポーラスシリコンのショットキー電極の評価(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- P1-26 三元系化合物Cu_2SiS_3の光音響分光(ポスターセッション1,ポスター発表)
- P1-23 巨大熱電能を示すアモルファスSi-Ge-Au薄膜のPASによる熱処理による変化の評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- P2-23 Sb_2O_3を添加したZnOバリスタの光音響スペクトル(ポスターセッション2,ポスター発表)
- P1-27 GaAs微粒子のマイクロフォン光音響スペクトル(ポスターセッション1,ポスター発表)
- QD05 ZnO-CoO混晶の光音響スペクトルによる評価(ポスターセッションII)
- QD04 マイクロフォン法と圧電トランスデュサー法によるポーラスシリコンの光音響スペクトル(ポスターセッションII)
- QD03 ZnOバリスタの光音響分光法による評価(ポスターセッションII)
- ニッケルとシリコンを二重に添加したシリコンカーバイド焼結半導体の熱電特性
- PC5 光を照射された多孔質シリコンの光音響分光(光-超音波エレクトロニクス,ポスターセッション1)
- PA12 多孔質シリコンの光音響分光と表面構造(ポスターセッション2)
- OA2 多孔質シリコンの光音響分光によるバンドギャップの評価(基礎・物性)
- PD4 光熱偏向分光法による多層構造の画像化(ポスターセッション1)
- PA2 マイクロフォンPASにおけるS/N比の改善(ポスターセッション1-概要講演・展示)
- PA19 Cu_xS/CdSヘテロ接合の光音響分光(ポスタセッションA-概要講演・展示)
- PC16 差分PPE法による半導体の熱拡散率の測定(ポスターセッション概要講演)
- 3J-4 半導体のパルス光音響効果(光音響)
- メサ型 HgCdTe 素子中の深い準位の評価
- メサ型HgCdTe素子中の深い準位の評価
- Si基板上MCT薄膜結晶と不純物ドーピング
- P-31 二次元照射PASとCdS : Cuの電子構造(ポスター・セッション)
- 1-PG-7 共振板付トランスデューサによる固体PAスペクトルの測定(1-P.ポスターセッション(概要講演))
- 改良RDLTS法によるSi:Auの電子放出率への電場効果の測定
- C-2 トランスデューサ法赤外光音響波形の解析(光音響分光法)
- G-3 P-Geにおける赤外PA信号の非線形特性(光音響)
- C-2 CdSのルビーレーザ誘起パルス光音響効果(一般講演)
- 2E-9 電子線照射LiNbO_3単結晶基板の評価(超音波物性,フォノン物理,光超音波エレクトロニクス&非線形,強力超音波,ソノケミストリー)
- 2D11 劣化した ZnO バリスタ中のバルクトラップの SADLTS 法による評価
- KClの伝導帯 : イオン結晶
- 高感度非冷却赤外線センサに向けたSiGe系薄膜の研究
- 4a-D-10 Landau LevelのCollision Broadening
- 8a-M-3 Band間の光磁気吸収.II
- バンド間の光磁気吸収 : XXI. 光物性
- P3-60 Ag添加Cu_2SiS_3結晶粒の構造と光音響スペクトル(ポスターセッション3(概要講演))
- 2Pa1-2 電子線照射した半絶縁性6H-SiC単結晶の光音響分光法による評価(ポスターセッション)
- 3Pb1-8 密度制御したSiC焼結体の光焦電法による熱拡散率の評価(ポスターセッション)
- 6pSB-3 低温におけるSi/Ge超格子薄膜の熱電特性(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)