劣化エピタキシャル成長した作製されたSiGe薄膜の熱電性能 : 基板の影響(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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イオンビームスパッタ(IBS)装置によって高抵抗Si基板上に堆積したSi-Ge系薄膜が非常に高い性能を示すことを見出した。これまでに完全に結晶成長していないSiGe単体膜が室温において4.5×10^<-2>Wm^<-1>K^<-2>という高い熱電性能を示すことを報告している。しかし,その熱電性能の成分の一つである抵抗値は基板の影響を受けている可能性がある。今回従来の基板の代わりにSOIを用い,さらに従来の試料の基板を切削することによって基板の抵抗値を変え,それによる試料の抵抗値の変化を調査したので報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-02
著者
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院 自然科学研究科
-
岡本 庸一
防衛大機能材料
-
守本 純
防衛大機能材料
-
守本 純
防衛大学校材料物性工学
-
守本 純
防衛大学校 電気情報学群
-
的場 彰成
金沢大学大学院自然科学研究科
-
早平 寿夫
金沢大学大学院自然科学研究科
-
都築 崇博
金沢大学大学院自然科学研究科
-
岡本 庸一
防衛大学校
-
佐々木 公洋
金沢大学大学院自然科学研究科
-
佐々木 公洋
金沢大学自然科学研究科
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