100万画素赤外線イメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
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概要
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A high density infrared image sensor has been developed for thermal imaging in the 3-5 μm infrared band. The array size is 1040×1040. The detector is a platinum silicide (PtSi) Schottky-barrier diode. The charge sweep device (CSD) architecture is used for the device in order to realize a large fill factor and a high saturation level. The device has a large fill factor of 539{b in spite of the small pixel size (17×17μm^2). The saturation level is improved by increasing the detector storage capacity. A high saturation level of 1.6×10^6 electrons is obtained. The noise equivalent temperature difference with f/1.2 optics is estimated as 0.10 K at 300 K.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1992-02-28
著者
-
木股 雅章
立命館大学
-
木股 雅章
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
木股 雅章
三菱電機(株)
-
八木 宏文
三菱電機株式会社 先端技術総合研究所
-
油谷 直毅
三菱電機
-
八木 宏文
三菱電機(株) 半導体基礎研究所
-
油谷 直毅
三菱電機(株) 半導体基礎研究所
-
中西 淳治
三菱電機(株) LSI研究所
-
永吉 晋輔
三菱電機(株) LSI研究所
-
坪内 夏朗
三菱電機(株) LSI研究所
-
中西 淳治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
坪内 夏朗
三菱電機ULSI開発研究所
-
坪内 夏朗
三菱電機株式会社lsi研究所
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