DD(Deep Depletion)MOSFETおよびBCCDにおける狭チャンネル効果の定量的評価法

概要

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DD MOSFETの狭チャンネル効果および短チャンネル効果を, その電流電圧特性から定量的に評価する方法を開発した.この方法を用いて, イメージセンサの微細化の際に問題となる埋込みチャンネルCCDの狭チャンネル効果が, チャンネル幅の設計値からのシフト量として定量的に測定可能となった.さらに, この評価法を実際の素子に適用して, プロセス条件によるCCDの狭チャンネル効果の違いを評価した.その結果, LOCOS分離方式と逆LOCOS分離方式で狭チャンネル効果を評価したところ, 逆LOCOS方式の方が1〜1.5μm程度狭チャンネル効果に強いことが判明した.また, 熱処理温度の狭チャンネル効果に与える影響は大きく, プロセスの低温化が狭チャンネル効果の低減に有効である.さらに, 分離のボロン注入量のCCDの狭チャンネル効果への影響を評価したところ, 分離のボロン注入量が1桁変化すると, CCDのチャンネル幅は0.5μm以上変化し, ΔWは分離のボロン注入量の対数に対してリニアに変化することが明らかとなった.
社団法人映像情報メディア学会の論文
1993-04-20