初期値の連続変形を考慮したホモトピー法による動作点解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
汎用の回路シミュレータは幾つかの解析モードをもっているが、中でも直流動作点解析は、その結果が過渡特性を支配する微分方程式の初期解としても用いられるので、重要な解析のひとつである。回路動作を記述する回路方程式は多元の非線形方程式であり、通常はニュートン法を用いて線形方程式に帰着させて解を求めることが多い。われわれは、動作点解析を行うにあたり、大域的収束性に乏しいニュートン法の代わりに、ノルムによる誤差評価を行いながら、適宜、補助方程式(初期値を含む方程式系)を変更するホモトピー法を検討し、回路シミュレータMICS(MItsubishi Circuit Simulator)に組み込んだ。本論文では、ホモトピー関数の工夫による解曲線追跡の加速方法および、実回路での適用事例から、この手法が効果的に作用することを示す。
- 1994-09-14
著者
-
谷沢 元昭
三菱電機株式会社ULSI開発研究所
-
小谷 教彦
三菱電機ULSI開発研究所
-
坪内 夏朗
三菱電機ULSI開発研究所
-
坪内 夏朗
三菱電機 Ulsi開研
-
坪内 夏朗
三菱電機株式会社lsi研究所
-
小谷 教彦
広島国際大学社会環境科学部
-
谷沢 元昭
三菱電機ULSI開発研究所
-
石川 多恵
三菱電機ULSI開発研究所
関連論文
- 4)100万画素赤外線イメージセンサ(〔情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会〕合同)
- 100万画素赤外線イメージセンサ : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- 485×510画素1/2インチフォーマットカラーイメージセンサ
- 6)電荷掃きよせ方式を用いた1/2インチ固体像素子((テレビジョン方式・回路研究会(第101回)テレビジョン電子装置研究会(第132回))合同)
- 多変量解析を用いたWorst Case MOSFET Model Parameter決定手法の開発
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- DD(Deep Depletion)MOSFETおよびBCCDにおける狭チャンネル効果の定量的評価法
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 6)485×510画素1/2インチフォーマットカラーイメージセンサ([テレビジョン方式・回路研究会(第109回)テレビジョン電子装置研究会(第140回)]合同)
- ディープサブミクロン領域におけるACホットキャリヤ劣化寿命予測シミュレーション(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- デバイス/回路シミュレータの結合
- 3次元形状不純物統合化プロセスシミュレータ
- 応力依存の粘性係数を考慮した粘弾性酸化シミュレーションの安定解法
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
- 統計的ばらつき予測のための回路モデルパラメータ生成システムの構築
- 初期値の連続変形を考慮したホモトピー法による動作点解析
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- TCADを用いた実効チャネル長抽出法の有効性の検討
- 4-1 赤外カメラ(4.不可視光カメラ)(特殊撮像技術)
- イメ-ジセンサの技術動向 (センシング技術)
- モノリシック赤外線CCD (半導体センサの最新テクノロジ-)
- シリコン・ショットキ形赤外イメ-ジセンサ
- TA-1-5 トランジスタモデル、配線モデルの動向
- 4)512×512画素シリコン・ショットキバリア赤外イメージセンサ(テレビジョン電子装置研究会)
- 512×512画素シリコン・ショットキバリア赤外イメージセンサ
- 電荷掃きよせ方式を用いた1/2"固体撮像素子(固体撮像特集)
- アモルファスシリコンTFT用回路/デバイスシミュレ-タ (先端半導体) -- (プロセス技術)
- 8ビット並列処理マイクロプロセッサとそのLSI (マイクロコンピュ-タ)
- LSIとキャラクタ・ジェネレータ (システム・インパクトからみたLSI(特集))