GaAs pHEMTのICTS測定(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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AlGaAs/InGaAs pHEMTの表面電子状態を等温過渡容量分光(ICTS)法を用いて調べた.ゲート電圧をゼロバイアスから逆バイアスに切り替えた場合とその逆の場合についてゲート容量の過渡特性を調べた.ICTSスペクトルにはホールトラップライクな信号SIと電子トラップS2が検出された.逆バイアス,150Kでの測定ではSIのみが観測され,信号強度はバイアス依存性を示した.またピンチオフ電圧近傍においてゲートリーク電流の急峻な増加が観測された.トラップS1, S2をAlGaAsリセス表面の表面準位モデルで実験結果を解釈できることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-06
著者
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
中本 隆博
三菱電機株式会社
-
尾関 龍夫
三菱電機
-
阿部 雄次
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社波光括
-
尾関 龍夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
-
尾関 龍夫
三菱電機株式会社応用機器研究所
-
丸野 茂光
三菱電機株式会社人材開発センター
-
阿部 雄次
三菱電機先端総研
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
丸野 茂光
三菱電機株式会社先端総研
-
丸野 茂光
三菱電機株式会社
-
尾関 龍夫
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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