K帯WSi/Au T型埋め込みゲート高出力HEMT
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概要
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近年, 衛星通信システムにおけるK帯SSPAの需要が高まる中で, 素子の更なる高効率化, 高利得化が強く要求されている。その中で我々は, サイドウォールプロセスを用いたWSi/Au T型ゲートトランジスタの開発を進めてきた。今回, Vd=10 Vにおいて高効率動作が可能な, WSi/Au T型埋込ゲート構造を有するHEMTを試作し, 良好な特性を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
石川 高英
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
國井 徹郎
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宮國 晋一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
志賀 俊彦
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宇土元 純一
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
石川 高英
三菱電機(株)情報電子研究所光・電波機器開発室
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