GaAs SAGFETのドレイン電流周波数分散
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概要
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GaAs SAGFETは従来のリセス型FETに比べて特性の均一性が優れていることから、低価格化を指向した移動体通信用携帯端末機器におけるMMICの基本トランジスタとして有望である。リセス型高出力用FETの大信号動作における周波数分散は、出力および効率に悪影響を及ぼすことが従来から数多く報告されている。今回、種々の構造のGaAs SAGFETを作製して主にDC特性とパルスI-V法によるゲートラグの評価を行い、その実験結果の検討をしたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
伊藤 和彦
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高野 博三
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
伊藤 和彦
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
野田 実
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
笠井 信之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
笠井 信之
三菱電機株式会社
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