C-10-6 デュアルバンドHBT-MMIC用バンド切換スイッチ回路に関する検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-16
著者
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
紫村 輝之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
服部 亮
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
山本 和也
三菱電機(株)
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
浅田 智之
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
浅田 智之
三菱電機株式会社
関連論文
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-10-22 10Gbit/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-8 低レファレンス電圧動作HBT電力増幅器の利得・位相特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
- レジスティブミクサの動作解析
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- C-10-12 マイクロ波時間波形測定によるHBTの最大動作領域解析
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-8 電力増幅器制御用カレントミラー型バイアス回路
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 2.5/3.5GHz帯WiMAX用HBT MMIC電力増幅器モジュール(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- レジスティブミクサの動作解析
- C-10-1 1.8V 動作 1.2/2.4GHzCMOS 周波数逓倍器の検討
- 1.8V動作Bluetooth用RF-CMOSトランシーバ
- A-1-14 低電圧動作可能なチャネル選択フィルタを用いて実現した1.8V動作RFCMOSトランシーバLSI
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- C-10-2 Si-MOSFETの小信号等価回路パラメータ抽出法に関する検討
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- 携帯端末用HBT電力増幅器,AWAD2006)
- 携帯端末用HBT電力増幅器
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
- CDMA用2.4V低レファレンス電圧動作HBT-MMIC電力増幅器 (特集 高周波・光デバイス)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- C-10-6 CDMA端末用2.4V低リファレンス電圧動作InGaP-HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 2.4GHz帯無線LAN用低電圧動作GaAs送受信一体化MMIC
- 低消費電流動作PHS用送受信一体化GaAs MMIC
- C-10-6 デュアルバンドHBT-MMIC用バンド切換スイッチ回路に関する検討
- Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
- C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- C-10-5 GaAs AC結合スタック型ダイオードステップ減衰器の歪み特性の改善(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-2-27 Outside-Base/Center-Via-HoleレイアウトHBTを用いたGSM900/DCS1800デュアルバンドMMIC増幅器
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (マイクロ波)
- フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討 (電子デバイス)
- 低電流・低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
- 低電流, 低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
- 10Gbit/s識別器用広帯域バッファの検討
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 1.9GHz帯高周波フロントエンド送受信一体化MMIC
- 移動体通信におけるRF系の低電力化
- PHS用送受一体化GaAs MMICにおけるディジタル回路技術
- PHS用RFフロントエンド一体化MMIC
- 無線通信用カレントミラー型GaAs HBT RF検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gb/sフリップフロップ内臓分布型EA変調器駆動IC
- 10Gb/sフリップフロップ内蔵分布型EA変調器駆動IC
- 10Gb/sフリップフロップ内臓分布型EA変調器駆動IC
- アナログ携帯電話用電力増幅器MMICの技術展望
- 移動体通信用高性能GaAs半導体デバイス (特集"半導体") -- (高周波光素子)
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBTドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBT ドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-1 10Gbit/s InGap/GaAs HBT ドライバ IC
- 1.9GHz帯移動体通信用送受信一体化GaAs IC ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 動作電圧範囲の広いSCFL-DCFLレベルシフト回路の検討
- 低電圧動作・高出力WSi/W二層ゲートSAGFET
- C-10-9 GaAs HBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs AC 結合スタック型ダイオードスイッチの基本特性と減衰器への応用(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- C-10-12 GaAs ダイオードスイッチの RF 基本特性と増幅器への応用
- C-10-16 GSM用電力増幅器の出力電力制御方式に関する実験的検討(C-10.電子デバイス)
- C-10-10 カプラ及びアッテネータ内蔵型W-CDMA用HBT電力増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)