1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
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概要
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1.9GHz帯, 2V動作GaAs送受信一体化MMICを低コスト・量産性に適したプレーナ構造SAGFETを用いて開発した.本ICは, 電力増幅器, 送受信切替スイッチ, 低雑音増幅器からなるRFフロントエンド回路に加えて, 倍電圧・負電圧発生回路及び制御ロジック回路を集積化することで, 単一電源動作だけでなく, 2Vの低電圧動作におけるスイッチの許容送信電力の向上を図っている.設計・試作の結果, 1.9GHz帯PHS変調波に対して, 電力増幅器は出力21dBm(ACP<-55dBc), 電力付加効率39%, 付随利得30dB, スイッチは許容送信電力24dBm, 挿入損失0.55dB, 低雑音増幅器は利得14dB, NF1.7dB, という良好な特性を呈した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-18
著者
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
長明 健一郎
三菱電機株式会社
-
大辻 順
三菱電機株式会社
-
宮崎 行雄
三菱電機株式会社
-
吉井 泰
三菱電機株式会社
-
藤井 隆行
三菱電機株式会社
-
森脇 孝雄
三菱電機
-
西谷 和雄
三菱電機株式会社
-
吉井 泰
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
大辻 順
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社
-
宮崎 行雄
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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