長明 健一郎 | 三菱電機株式会社
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概要
関連著者
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長明 健一郎
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機株式会社
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社
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紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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大辻 順
三菱電機株式会社
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宮崎 行雄
三菱電機株式会社
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大辻 順
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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宮崎 行雄
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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鈴木 敏
三菱電機
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浅田 智之
三菱電機株式会社高周波光素子統括部
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森 一富
三菱電機株式会社
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浅田 智之
三菱電機株式会社
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三浦 猛
三菱電機高周波光デバイス製作所
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奥田 敏雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
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奥田 敏雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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三浦 猛
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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服部 亮
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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服部 亮
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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服部 亮
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山内 眞英
三菱電機株式会社高周波光素子統括部
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井上 晃
三菱電機株式会社
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小川 喜之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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藤本 慎一
三菱電機株式会社
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細木 健治
三菱電機株式会社
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細木 健治
三菱電気株式会社光マイクロ波デバイス開発研究所
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吉井 泰
三菱電機株式会社
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細木 健治
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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藤井 隆行
三菱電機株式会社
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森脇 孝雄
三菱電機
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吉井 泰
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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山内 眞英
三菱電機株式会社
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津留 正臣
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部
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川上 憲司
三菱電機株式会社
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水谷 浩之
三菱電機株式会社
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宮下 美代
三菱電機株式会社
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池田 幸夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中野 博之
三菱電機株式会社
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矢島 孝太郎
三菱電機株式会社
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尾形 敏雄
三菱電機株式会社
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東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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島田 征明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社
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池田 幸夫
島田理化工業株式会社
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西谷 和雄
三菱電機株式会社
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松原 司
株式会社kdl
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宮脇 勝巳
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山田 和也
ミヨシ電子株式会社
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南原 成二
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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島田 征明
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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東坂 範雄
三菱電機株式会社
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池田 幸夫
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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島田 征明
三菱電機株式会社
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高木 直
三菱電機株式会社
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小川 喜之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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前村 公正
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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前村 公正
三菱電機
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松塚 隆之
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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濱野 聡
三菱電機株式会社
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中野 博文
株式会社 日立製作所 通信事業部
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中野 博文
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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石川 高英
三菱電機株式会社
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太田 彰
三菱電機株式会社
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松田 慎吾
三菱電機株式会社
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松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター
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谷野 憲之
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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植田 裕之
三菱電機株式会社
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笠井 信之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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屋形 敏一
三菱電機株式会社
-
谷野 憲之
三菱電機
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長明 健一郎
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
著作論文
- C-2-13 電圧変換回路を用いたVCOのリニアリティ改善検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- C-10-4 HBT を用いた携帯電話用高効率増幅器における入力高調波整合の効果
- 移動体通信用900MHz帯HBT MMIC増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
- Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
- C-10-2 3.2V動作GSM900/1800用HBT-MMIC電力増幅器
- C-2-27 Outside-Base/Center-Via-HoleレイアウトHBTを用いたGSM900/DCS1800デュアルバンドMMIC増幅器
- 1.9GHz帯低電圧動作・高効率SAGFET
- 電圧変換回路を用いた高リニアリティVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 電圧変換回路を用いた高リニアリティVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBTドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 10Gbit/s InGaP/GaAs HBT ドライバIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-1 10Gbit/s InGap/GaAs HBT ドライバ IC
- 移動体通信用HBT MMIC増幅器 (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)