5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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完全オンチップ整合の5GHz帯無線通信用InGaP/GaAs HBT MMIC低雑音増幅器を設計・試作した. 1dB利得圧縮時の出力電力(P1dB)を指標とする高い線形性と利得切替機能を持たせるために, 初段にインダクタフィード型のバイアス回路を, 次段に利得切替用バイパストランジスタを採用した. 設計・試作の結果, 周波数5.2GHz, 電源電圧3.0Vにおいて, 高利得モードではバイアス電流9.2mAで利得23.5dB, NF2.4dB, 1dB利得圧縮時の出力電力13.5dBm, 低利得モードではバイアス電流5mAで利得4.3dB, NF3.6dBの良好な特性を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-11
著者
-
鈴木 敏
三菱電機
-
小川 喜之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小川 喜之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
前村 公正
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
長明 健一郎
三菱電機株式会社
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
前村 公正
三菱電機
-
鈴木 敏
三菱電機株式会社
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