CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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2.4Vの低レファレンス電圧動作900MHz帯CDMA端末用InGaP/GaAs-HBT MMIC電力増幅器モジュールの設計・試作結果について報告する.電力増幅器のバイアス回路に供給される電圧(レファレンス電圧及びコレクタ電圧)を2.4Vの低電圧で動作させるために,(i)パワー段をAC結合した2つにブロックに分割し,一方には電圧及び電流駆動のバイアス供給を,他方に電流駆動のみのバイアス供給を与え,さらに(ii)低温での隣接チャネル漏洩電力の劣化を抑制するために電圧・電流駆動するパワー段にDC結合した並列型のダイオードリニアライザを装荷した.電力増幅器のパワー段のコレクタ電圧3.5V,レファレンス電圧を含むバイアス回路の電源電圧2.4V,周波数900MHz帯において,本電力増幅器はJ-/W-CDMAに要求される出力特性を-10℃〜+90 ℃の広い温度範囲で満足した.常温における主な実験結果は以下の通りである.J-CDMA変調に対しては出力電力27.5dBm時においてACPR1-50dBc,PAE40%,利得26.5dB,W-CDMA変調に対しては出力電力28dBm時においてACLR1-42dBc,PAE42%,利得26.7dBである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-10
著者
-
小川 喜之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
山本 和也
三菱電機株式会社
-
紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三浦 猛
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小川 喜之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
三浦 猛
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
前村 公正
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
前村 公正
三菱電機
-
森脇 孝雄
三菱電機
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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